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PVD 是物理氣相淀積，指通過(guò)物理手段（電、磁、重力），令氣體中的特定成分淀積在晶圓表面，形成薄膜。磁控濺射是PVD 的一種，屬于比較老的薄膜生長(zhǎng)技術(shù)之一，優(yōu)點(diǎn)是成本較低，可以生長(zhǎng)的薄膜種類(lèi)多，缺點(diǎn)是薄膜一致性較差，臺(tái)階覆蓋不好，強(qiáng)度較低。

CVD 是化學(xué)氣相淀積，指令氣體在晶圓表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，反應(yīng)產(chǎn)物附著在晶圓表面形成薄膜。典型的如四氫化硅氣體與氨氣反應(yīng)淀積氮化硅。另外氧氣（以及水蒸氣）與晶圓本身反應(yīng)生長(zhǎng)氧化硅層一般單獨(dú)分類(lèi)為氧化，不屬于CVD。優(yōu)點(diǎn)是薄膜一致性好，缺點(diǎn)是受到反應(yīng)氣體種類(lèi)限制，不是所有的薄膜都能生長(zhǎng)。

其他的薄膜生長(zhǎng)工藝還有氧化、電鍍、外延、鍵合等。各有各的適用范圍。

離子注入和上面的根本不是一回事。

離子注入不是用來(lái)生長(zhǎng)薄膜的，而是用來(lái)進(jìn)行半導(dǎo)體摻雜的。通過(guò)加速電離的雜質(zhì)離子，將其注入晶圓內(nèi)部。然后在進(jìn)行退火激活，讓雜質(zhì)離子取代硅原子的晶格位置，形成摻雜能級(jí)，得到N型和P型半導(dǎo)體。
與離子注入相對(duì)的工藝是擴(kuò)散工藝，擴(kuò)散工藝不主動(dòng)注入雜質(zhì)粒子，而是通過(guò)濃度梯度讓雜質(zhì)自然擴(kuò)散到晶圓內(nèi)部。

兩者相比注入工藝的精度遠(yuǎn)高于擴(kuò)散（擴(kuò)散工藝的橫向擴(kuò)散比離子注入差得多），不過(guò)粒子注入會(huì)形成更多的晶格損傷和缺陷態(tài)。

最后，這些都是半導(dǎo)體工藝，液晶面板工藝和半導(dǎo)體工藝沒(méi)關(guān)系。